編號：NMJS02639
篇名：羰基,、羧基和羥基表面官能團(tuán)對碳納米管電容量的影響(英文)
作者：李莉香,； 李峰,；
關(guān)鍵詞：碳納米管； 羰基； 羧基,； 羥基,； 準(zhǔn)電容；
機(jī)構(gòu)： 遼寧科技大學(xué)材料電化學(xué)研究所,； 中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家(聯(lián)合)實驗室,；
摘要： 分別采用混酸、空氣,、硝酸和高錳酸鉀對碳納米管進(jìn)行氧化處理,以在其表面引入官能團(tuán),進(jìn)而研究了表面官能團(tuán)對碳納米管電化學(xué)性能的影響。X-射線光電子譜分析表明:混酸氧化處理引入的官能團(tuán)主要為羰基和羧基;空氣氧化使碳納米管表面鏈接較多的羥基,但羰基和羧基的含量最少;而硝酸處理和高錳酸鉀處理引入了中等數(shù)量的羰基和羧基,。經(jīng)四種處理方法所得碳納米管具有相近的比表面積和孔結(jié)構(gòu),。通過比較它們的比電容發(fā)現(xiàn):羰基和羧基貢獻(xiàn)了最多的準(zhǔn)電容,尤其羰基含量與碳納米管的電容量呈正比關(guān)系;而羥基主要增強(qiáng)了雙層電容,并未引入明顯的準(zhǔn)法拉第容量。由于羰基和羧基比羥基具有更低的電荷傳遞電阻,有利于快速的法拉第反應(yīng),從而引入準(zhǔn)電容,。
