編號：NMJS02584
篇名：利用Ni納米島模板制備半極性晶面GaN納米柱
作者：楊國鋒； 陳鵬,； 于治國,； 劉斌； 謝自力,； 修向前,； 韓平； 趙紅,； 華雪梅,； 張榮； 鄭有炓,；
關(guān)鍵詞：氮化鎵； 鎳納米島模板,； 電感耦合等離子刻蝕,； 半極性面； 氮化鎵納米柱,；
機(jī)構(gòu)： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院江蘇省光電功能材料重點實驗室,； 南京大學(xué)揚州光電研究院；
摘要： 報道了在GaN表面以Ni納米島結(jié)構(gòu)作為模板,利用電感耦合等離子(ICP)刻蝕制備GaN納米柱的研究結(jié)果,。原子力顯微鏡(AFM)測試結(jié)果表明,金屬Ni薄膜在快速熱退火(RTA)作用下形成了平均直徑和高度大約分別為325 nm和70 nm的納米島狀結(jié)構(gòu),。通過電子掃描顯微鏡(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni納米島作為模板圖形,通過控制ICP刻蝕時間,在一定的刻蝕時間內(nèi)(2 min)獲得有序的并擁有半極性晶面的GaN納米柱陣列。這種新穎的半極性GaN納米柱作為氮化物量子阱或者超晶格結(jié)構(gòu)的生長模板,可以有效減小甚至消除極化效應(yīng),提高光電子器件的效率和性能,。
