編號：NMJS02563
篇名：金屬援助硅化學刻蝕法可控制備硅納米線陣列
作者：呂文輝,； 張帥；
關鍵詞：硅納米線陣列,； 金屬援助硅化學刻蝕,； 形貌控制；
機構： 湛江師范學院物理系,； 浙江大學硅材料國家重點實驗室,； 湛江師范學院科技處；
摘要： 基于金屬援助硅化學刻蝕機理,成功地發(fā)展了一種形貌可控地制備硅納米線陣列的有效方法,。在該方法中,通過銀納米顆粒催化層的微結構和硅化學刻蝕的時間來調控硅納米線陣列的形貌,。掃描電子顯微鏡(SEM)形貌表征的實驗結果證實:硅納米線陣列的孔隙率依賴銀納米顆粒催化層的微結構,硅納米線陣列的高度依賴于硅的刻蝕時間。這種形貌可控地制備單晶硅納米線陣列的方法簡單,、有效,可用于構筑硅納米線光伏電池等各種硅基納米電子器件,。
