編號：FTJS02798
篇名：微量元素和燒結(jié)溫度對硅基半導體中微觀缺陷的影響
作者：韓艷玲,； 陳玉輝,； 韓麗芳； 黃宇陽； 鄧文,；
關(guān)鍵詞：半導體Si； 摻硼,； 摻碳,； 微觀缺陷； 正電子湮沒,；
機構(gòu)： 廣西大學物理科學與工程技術(shù)學院,；
摘要： 測量了不同C或B含量經(jīng)不同燒結(jié)溫度制備的Si基半導體、單晶Si,、單晶SiO2,、石墨和純多晶B樣品的正電子壽命譜和符合正電子湮沒輻射Doppler展寬譜。結(jié)果表明,石墨的商譜譜峰最高,SiO2的譜峰次之,B的譜峰最低,。隨著B,C和O原子序數(shù)的增加,與正電子湮沒的電子動量增加,。含20%的C和含100ppm的B的樣品的商譜的譜峰最高;含100ppm的B的樣品的譜峰次之;含1ppm的B的樣品的譜峰最低。隨著燒結(jié)溫度的升高,含100ppm的B的Si基半導體樣品的商譜降低,正電子壽命增長,缺陷開空間和濃度升高,。
