編號：CPJS01229
篇名：雙層摻混結構CNT薄膜的制備及場發(fā)射性能
作者：商世廣,； 趙玲,； 高明琪,； 劉衛(wèi)華,； 趙萍；
關鍵詞：碳納米管,； 絲網(wǎng)印刷,； 雙層摻混； 場發(fā)射,； 陰極薄膜,；
機構： 西安郵電學院電子工程學院； 西安交通大學電子與信息工程學院,；
摘要： 針對單層摻混結構改善絲網(wǎng)印刷碳納米管(CNT)薄膜場發(fā)射性能的局限性,提出了一種能有效改善CNT薄膜場發(fā)射性能的雙層摻混結構,。相比傳統(tǒng)單層摻混結構的CNT陰極薄膜,雙層摻混薄膜中上層TiO2介質摻混結構能有效提高CNT的增強因子,下層導電納米鈦粉摻混結構能降低CNT與襯底電極間的接觸電阻,、提高CNT導電網(wǎng)絡的電子傳輸能力,。場發(fā)射I-V特性測試表明,當CNT和鈦的摻混質量比為1∶1且氮氣中預燒溫度為450℃時,雙層摻混結構CNT薄膜的開啟場強為1.53V/μm,電流密度在場強為2.0V/μm時達79.5μA/cm2,。該方法為改善絲網(wǎng)印刷CNT薄膜的場發(fā)射性能提供了一種可行方案。
