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半導體用高純超細SiC粉體的表面改性

編號:FTJS02603

篇名:半導體用高純超細SiC粉體的表面改性

作者:李星,; 鐵生年,;

關鍵詞:超細粉體; 碳化硅,; 表面改性,; 分散性,; 流動性;

機構: 青海大學非金屬材料研究所,;

摘要: 通過偶聯(lián)劑預處理,、接枝聚合丙烯酸鈉兩步法對SiC粉體進行表面改性,制備聚丙烯酸鈉接枝改性SiC粉體,并對改性粉體進行表征,測試SiC粉體的zeta電位,討論改性對SiC粉體料漿分散穩(wěn)定性和流動性的影響,。結果表明:SiC微粉經(jīng)表面改性后并未改變原始SiC微粉的物相結構,只是改變其在水中的膠體性質;微粉團聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生很大變化,zeta電位值顯著提高,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善,且黏度降低。

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