編號(hào)：CPJS01081
篇名：近規(guī)整多孔硅電化學(xué)制備與表征
作者：汪婷； 黎學(xué)明,； 李武林,； 文軍；
關(guān)鍵詞：多孔硅,； 電化學(xué)陽極氧化,； 近規(guī)整；
機(jī)構(gòu)： 重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院；
摘要： 電化學(xué)陽極氧化條件對(duì)多孔硅孔排列的規(guī)整度有著顯著的影響,。提出了一種不需陽極氧化鋁模板或預(yù)圖案化而直接制備近規(guī)整多孔硅的電化學(xué)方法,分析了氧化時(shí)間,、電解液組成、HF濃度對(duì)多孔硅形態(tài)的影響,。結(jié)果表明,隨著陽極氧化時(shí)間的增加,多孔硅孔的深度逐漸加大,孔徑則呈先增大后穩(wěn)定的趨勢(shì),。當(dāng)氫氟酸(40%)與N-N-二甲基甲酰胺(DMF)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20∶80、電流密度為75mA/cm2,、氧化時(shí)間為5min時(shí),形成的多孔硅具有近規(guī)整的孔排列,。形成的孔相互之間平行且垂直于樣品表面,孔尺寸均勻一致,孔徑在1μm左右,孔深度大約為20μm。
