編號：NMJS02401
篇名：沉積時間對Au/Si-NPA電學(xué)特性的影響
作者：富笑男,； 程莉娜,； 羅艷偉,； 劉琨； 王信春,；
關(guān)鍵詞：硅納米孔柱陣列(Si-NPA)； I-V曲線； Au/Si-NPA,； 整流特性,；
機構(gòu)： 河南工業(yè)大學(xué)理學(xué)院； 河南大學(xué)特種功能材料教育部重點實驗室,；
摘要： 采用浸漬法在硅納米孔柱陣列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)襯底上制得了一系列金/硅納米孔柱陣列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉積時間不同,。通過測試分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲線,研究了沉積時間對Au/Si-NPA電學(xué)特性的影響。結(jié)果表明:在沉積時間小于30 min時,Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時間的延長而減小;而當(dāng)沉積時間超過30 min時,Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時間的延長而增大,。這種電學(xué)特性變化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出現(xiàn)變化引起的,。
