編號：NMJS02284
篇名：沉積電位對銀納米晶體生長形態(tài)的影響
作者：張吉曄,； 陳福義； 閆曉紅；
關鍵詞：物理化學,； 銀納米晶體； 晶體生長形態(tài),； 表面等離子共振,；
機構： 西北工業(yè)大學凝固技術國家重點實驗室；
摘要： 在ITO導電玻璃基體上應用電沉積方法制備了銀納米晶體,通過調節(jié)沉積電位,制備了形貌和尺寸可控的樣品,。用X射線衍射儀(XRD),、掃描電子顯微鏡(SEM)和紫外可見光譜儀(UV-Vis)分別對樣品的結構、微觀形貌以及光學性質進行了表征,。結果表明:沉積電位是在一定范圍內決定銀納米晶體的生長速度和最終生長形態(tài)的直接因素,在沉積電位E=0.2～0 V(SCE)之間觀察到了沿(111)面擇優(yōu)生長引起的多面體晶體-枝晶轉化;通過UV-Vis光譜發(fā)現(xiàn),當E=-0.2 V時,在350 nm處有一個區(qū)別于其它電位的明顯的吸收峰,。
