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可控多足ZnO納米結構陣列的制備、表征及發(fā)光研究

編號:NMJS02242

篇名:可控多足ZnO納米結構陣列的制備,、表征及發(fā)光研究

作者:陸香花; 杜顯振,; 龐占文; 吳明在,; 馬永青,; 劉先松;

關鍵詞:水熱,; ZnO,; 多足;

機構: 安徽大學安徽省信息材料與器件重點實驗室,; 中國科學院固體物理研究所材料物理重點實驗室,;

摘要: 以Zn片和H2O為前驅(qū)反應物,采用水熱法在Zn片上直接腐蝕制得多足狀ZnO納米結構陣列.使用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡,、透射電子顯微鏡對樣品結構和形貌進行表征.PL譜測試研究表明多足ZnO納米結構陣列具有兩個發(fā)射峰位,分別為379,、563 nm,其中紫外發(fā)射峰位379 nm占主導地位.

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