編號：NMJS02179
篇名：SiO_2層上沉積的納米多晶硅薄膜及其特性
作者：趙曉鋒； 溫殿忠,； 王天琦,； 丁玉潔；
關(guān)鍵詞：納米多晶硅薄膜,； 低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD),； 遷移率；
機構(gòu)： 黑龍江大學(xué)黑龍江省普通高等學(xué)校電子工程重點實驗室,； 黑龍江大學(xué)集成電路重點實驗室,；
摘要： 采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)系統(tǒng)以高純SiH4為氣源,在p型10.16 cm<100>晶向單晶硅襯底SiO2層上制備納米多晶硅薄膜,薄膜沉積溫度為620℃,沉積薄膜厚度分別為30 nm、63 nm和98 nm.對不同薄膜厚度的納米多晶硅薄膜分別在700℃,、800℃和900℃下進(jìn)行高溫真空退火.通過X射線衍射(XRD),、Raman光譜、掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)對SiO2層上沉積的納米多晶硅薄膜進(jìn)行特性測試和表征,隨著薄膜厚度的增加,沉積態(tài)薄膜結(jié)晶顯著增強,擇優(yōu)取向為<111>晶向.通過HP4145B型半導(dǎo)體參數(shù)分析儀對沉積態(tài)摻硼納米多晶硅薄膜電阻I-V特性測試發(fā)現(xiàn),隨著薄膜厚度的增加,薄膜電阻率減小,載流子遷移率增大.
