編號：NMJS01286
篇名：不同晶種上ZnO納米線的生長及紫外光電導特性
作者：曹東; 蔣向東; 李大偉; 孫繼偉;
關鍵詞：透明導電膜; ZnO納米線; 溶液化學法; 紫外光電導特性;
機構(gòu)： 電子科技大學光電信息學院;
摘要： 采用射頻磁控濺射法在石英襯底上沉積了AZO和ITO透明導電膜,然后采用溶液化學法以兩種導電膜為晶種分別生長ZnO納米線。利用掃描電鏡和X射線衍射等測試手段對樣品進行表征,進而通過一種垂直測試結(jié)構(gòu),研究其紫外光電導特性的差異,。結(jié)果表明:晶種對納米線的生長起決定性作用,只有在結(jié)晶良好并且擇優(yōu)取向的AZO膜上才能生長出垂直于襯底且取向一致的ZnO納米陣列,而在ITO膜上,ZnO納米線的取向具有很大的隨機性,。AZO上垂直生長的納米線紫外響應速度較快,且呈現(xiàn)良好的歐姆接觸特性,但兩種樣品恢復時間都較長,分析認為是納米線曝光面積不同和內(nèi)部的缺陷、表面態(tài)等原因造成的,。
