編號(hào)：NMJS01253
篇名：催化劑膜厚對碳納米管薄膜生長的影響
作者：王小冬; 王六定; 席彩萍; 李昭寧; 趙景輝;
關(guān)鍵詞：碳納米管; Ni薄膜; 催化劑; 膜厚;
機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理系;
摘要： 采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù),以Ni為催化劑,在Si基底上沉積出定向性良好的碳納米管。用掃描電鏡表征了催化劑顆粒大小和相應(yīng)的碳納米管形貌,。深入研究了催化劑膜厚對碳納米管生長的影響,。結(jié)果表明:不同厚度的催化劑薄膜經(jīng)刻蝕形成的顆粒密度,、尺寸,、分布等對碳納米管的合成質(zhì)量起主要作用,。催化劑厚度≤5 nm時(shí),形成的顆粒密度較小而且分布不均,制備的碳納米管產(chǎn)量低,、定向性差,。催化劑厚度≥15 nm時(shí),形成的顆粒較大,粘連在一起,生長時(shí)大部分被非晶碳包覆,幾乎沒有碳納米管的生長,。催化劑厚度為10 nm時(shí),形成的顆粒密度大,、分布較均,制備的碳納米管純度高、定向性好,。
