編號：NMJS01212
篇名：TATB基PBX納米孔隙的正電子湮沒壽命譜
作者：楊仍才; 田勇; 張偉斌; 杜宇;
關(guān)鍵詞：高能物理學(xué); TATB基PBX; 壓制; 納米孔隙; 正電子湮沒壽命譜;
機(jī)構(gòu)： 中國工程物理研究院化工材料研究所;
摘要： 為研究壓制參數(shù)對TATB基高聚物粘結(jié)炸藥(PB X)微觀結(jié)構(gòu)的影響,壓制了密度為1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正電子湮沒壽命譜(PALS)技術(shù)表征了其微觀結(jié)構(gòu),討論了不同壓制密度PBX的納米孔隙的變化,。結(jié)果顯示:壓制密度越大,PBX中納米孔隙濃度越小,平均尺寸越大,這表明壓制過程中,PBX界面孔隙不斷減小,TATB晶體內(nèi)部孔隙卻不斷增大,。
