編號：NMJS01102
篇名：化學(xué)氣相沉積法制備ZnO納米結(jié)構(gòu)材料及其表征
作者：王杰;
關(guān)鍵詞：ZnO; 納米結(jié)構(gòu)材料; 化學(xué)氣相沉積法; 光致發(fā)光;
機構(gòu)： 山東師范大學(xué);
摘要： 由于半導(dǎo)體氧化物在光學(xué),、光電、催化,、壓電等領(lǐng)域獨特而新穎的應(yīng)用,其合成和應(yīng)用引起了人們的極大關(guān)注,。ZnO是一種重要的直接寬帶隙半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能為60 meV,在制造電子和發(fā)光器件上有巨大潛力,。而納米ZnO則表現(xiàn)出與體材料明顯不同的電學(xué),、磁學(xué)、光學(xué),、化學(xué)等性質(zhì),。2001年王中林教授發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體氧化物納米帶后,基于氧化物的一維納米材料成了納米材料新的研究熱點。目前,研究人員對ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備和生長機理的研究有很多,已經(jīng)采用了各種不同技術(shù)制備了各種形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu),如納米線,、納米棒,、納米帶、納米環(huán)等,。 我們研究小組采用化學(xué)氣相沉積法成功制備出多種ZnO的納米結(jié)構(gòu),通過改變實驗溫度,、恒溫時間、所用催化劑的濃度等因素,找出了各種納米結(jié)構(gòu)的最佳生長條件,。本文在綜述目前ZnO納米材料的基本性質(zhì),、制備方法、摻雜以及應(yīng)用的基礎(chǔ)上,闡述了各種納米結(jié)構(gòu)的制備方法,并利用X射線衍射(XRD),、掃描電子顯微鏡(SEM),、透射電子顯微鏡(TEM),、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、能量散射X射線(EDX)譜,、選區(qū)電子衍射譜(SAED)和光致發(fā)光(PL)光譜等測試手段詳細分析了最佳生長條件下...
