編號：FTJS01384
篇名：TiB_2/SiC陶瓷復(fù)合材料制備工藝的研究
作者：王偉; 連景寶; 茹紅強;
關(guān)鍵詞：原位合成; 硼化鈦; 碳化硅; 復(fù)合材料構(gòu);
機構(gòu)： 東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院;
摘要： 以TiO2,、B4C和C為原料,基于原位合成法在SiC基體中生成TiB2顆粒,并采用無壓燒結(jié)法制備出TiB2/SiC復(fù)合陶瓷.通過對復(fù)合材料制備工藝的研究,發(fā)現(xiàn):高于1 300℃的預(yù)燒結(jié)能形成TiB2/SiC復(fù)合陶瓷坯體.C含量,、燒結(jié)溫度和保溫時間對復(fù)合材料的相對密度均有影響.當(dāng)C含量(質(zhì)量分數(shù))為4%時、在1 400℃×60 min+2000℃×30 min的燒結(jié)工藝下能夠制備出致密的TiB2/SiC陶瓷復(fù)合材料.微米級TiO2粉比納米級TiO2粉更有利于形成較致密的燒結(jié)復(fù)合材料.隨著生成TiB2體積分數(shù)的增加(5%～20%),復(fù)合材料中TiB2顆粒逐漸粗化,間距逐漸變小.對復(fù)合材料的燒結(jié)機理還進行了分析.
