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Tm~(3+)摻雜的LaOF和SiO_2納米體系中熒光光譜溫度特性的研究

編號(hào):NMJS01034

篇名:Tm~(3+)摻雜的LaOF和SiO_2納米體系中熒光光譜溫度特性的研究

作者:張喜生; 晏春愉; 姚陳忠; 鄭海榮;

關(guān)鍵詞:材料; 晶相; 熒光光譜; 溫度特性; Tm3 離子; 熒光衰減;

機(jī)構(gòu): 運(yùn)城學(xué)院物理與電子工程系; 陜西師范大學(xué)物理與信息技術(shù)學(xué)院;

摘要: 研究了不同環(huán)境溫度下晶體LaOF和非晶體SiO2納米體系中摻雜Tm3+離子的熒光光譜,。結(jié)果表明,在20~300 K的溫度范圍內(nèi),熒光譜線(xiàn)的寬度、強(qiáng)度以及譜線(xiàn)位置均隨溫度的升高而變化,。發(fā)光離子的局域環(huán)境直接影響熒光光譜對(duì)環(huán)境溫度的依賴(lài)程度:SiO2中發(fā)光離子的熒光壽命受溫度影響較小,而位于晶相環(huán)境LaOF中離子的熒光壽命則顯示較強(qiáng)的溫度依賴(lài)特性,在脈沖激光激發(fā)條件下,研究了3H4能級(jí)熒光壽命隨溫度變化的規(guī)律,。

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