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泡沫鎳負(fù)載的NiCo_2O_4納米線陣列電極的超級(jí)電容性能

編號(hào):NMJS00945

篇名:泡沫鎳負(fù)載的NiCo_2O_4納米線陣列電極的超級(jí)電容性能

作者:于麗秋; 陳書禮; 常莎; 李云虎; 高胤義; 王貴領(lǐng); 曹殿學(xué);

關(guān)鍵詞:NiCo2O4; 納米線陣列; 無模板生長法; 泡沫鎳; 超級(jí)電容器;

機(jī)構(gòu): 哈爾濱工程大學(xué)材料科學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院;

摘要: 采用無模板自然生長法制備了泡沫鎳支撐的NiCo2O4納米線陣列電極,利用掃描電鏡(SEM)和透射電鏡(TEM)觀測了納米線的表面形貌,利用X射線衍射(XRD)分析了納米線的結(jié)構(gòu),通過循環(huán)伏安,、恒流充放電和交流阻抗測試了電極的超級(jí)電容性能.結(jié)果表明:NiCo2O4納米線直徑約為500-1000nm,、長度約為10μm,垂直且密集地生長在泡沫鎳骨架上.納米線陣列電極的放電比容量高達(dá)741F·g-1,循環(huán)420次后比容量仍保持在655F·g-1,電化學(xué)阻抗測試其電荷傳遞電阻僅為0.33Ω,420次循環(huán)后電荷傳遞電阻僅增加0.06Ω.

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