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Au納米顆粒陣列中雙光子吸收的飽和過(guò)程

編號(hào):NMJS00936

篇名:Au納米顆粒陣列中雙光子吸收的飽和過(guò)程

作者:王凱; 龍華; 付明; 張莉超; 楊光; 陸培祥;

關(guān)鍵詞:納米球蝕刻技術(shù); Au納米顆粒; 三階光學(xué)非線性;

機(jī)構(gòu): 華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室激光科學(xué)與技術(shù)研究部;

摘要: 采用納米球蝕刻法制備了Au納米顆粒陣列.并通過(guò)掃描電子顯微鏡觀測(cè)了其表面形貌,表明三角形的Au納米顆粒呈陣列狀分布.采用Z掃描方法(800nm,50fs)測(cè)量了Au納米顆粒陣列的三階非線性光學(xué)特性.在較小的激發(fā)功率下,結(jié)果呈現(xiàn)出雙光子吸收效應(yīng),隨著激發(fā)功率不斷增加,出現(xiàn)了雙光子吸收飽和的過(guò)程;非線性折射則呈現(xiàn)出自散焦效應(yīng).這種高效率的非線性響應(yīng)機(jī)理使得該種Au納米顆粒陣列在高速全光開(kāi)關(guān)中有潛在的應(yīng)用價(jià)值.

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