編號(hào)：NMJS00899
篇名：形狀記憶合金表面納米管陣列的制備與表征
作者：秦銳; 丁冬雁; 寧聰琴; 劉和剛; 朱邦尚; 李明; 毛大立;
關(guān)鍵詞：形狀記憶合金; 納米管; 陽(yáng)極氧化; 顯微結(jié)構(gòu); 氧化物;
機(jī)構(gòu)： 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院微電子材料與技術(shù)研究所金屬基復(fù)合材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海交通大學(xué)分析測(cè)試中心;
摘要： 采用陽(yáng)極氧化方法在鎳鈦形狀記憶合金表面成功制備出氧化物納米管陣列,。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,陽(yáng)極氧化電壓和溫度是影響納米管生長(zhǎng)的重要因素。當(dāng)陽(yáng)極氧化電壓較低時(shí),溫度效應(yīng)不大,合金表面僅形成數(shù)十納米厚的氧化物薄膜。當(dāng)陽(yáng)極氧化電壓升至20V,在20℃陽(yáng)極氧化可形成雙氧化物層(表面為不均勻多孔納米結(jié)構(gòu),下部為具有兩種不同直徑的納米管陣列);增大陽(yáng)極氧化溫度至30℃,表面多孔納米結(jié)構(gòu)溶解,露出底部的納米管陣列;當(dāng)陽(yáng)極氧化溫度增大至50℃時(shí),納米管開(kāi)始出現(xiàn)破裂,。納米管為Ni-Ti-O氧化物,納米管的鎳含量與鎳鈦基體相比有所降低,。
