編號：NMJS00884
篇名：退火對納米VO_2薄膜結(jié)構(gòu)及電性能的影響
作者：杜明軍; 吳志明; 羅振飛; 許向東; 王濤; 蔣亞東;
關(guān)鍵詞：磁控濺射; VO2; 相變; 電學(xué)性能;
機構(gòu)： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
摘要： 采用直流反應(yīng)磁控濺射法在K9玻璃和KBr襯底上制備了VO2薄膜,利用掃描電鏡(SEM),、X射線衍射(XRD)、傅里葉紅外光譜(FT-IR)對薄膜的形貌,、晶相和分子結(jié)構(gòu)等進行分析,。結(jié)果表明,在氧氣氣氛下退火后,薄膜顆粒變得清晰可見,平均尺寸約25 nm,薄膜由非晶態(tài)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)的VO2,且在(011)方向出現(xiàn)明顯擇優(yōu)取向生長。利用四探針對薄膜電阻溫度特性的測試結(jié)果顯示,薄膜經(jīng)過O2氣氛退火10 min后具有顯著的電阻突變特征,24℃時的激活能為0.24 eV,。實驗結(jié)果表明,退火改變了薄膜的結(jié)構(gòu)形貌,進而對薄膜的電學(xué)性能產(chǎn)生影響,選擇合適的退火條件可以獲得性能優(yōu)良的VO2薄膜,。
