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羥基硅油原位改性制備疏水性沉淀二氧化硅

編號:CPJS00817

篇名:羥基硅油原位改性制備疏水性沉淀二氧化硅

作者:馬志領(lǐng); 郝學(xué)輝; 何佳音; 周健;

關(guān)鍵詞:沉淀二氧化硅; 羥基硅油; 原位改性; 疏水性; 相容性;

機構(gòu): 河北大學(xué)化學(xué)與環(huán)境科學(xué)學(xué)院;

摘要: 采用羥基硅油原位改性制備疏水性沉淀二氧化硅,。紅外光譜(FT-IR)分析表明,羥基硅油通過化學(xué)鍵接枝到二氧化硅表面。掃描電鏡(SEM)分析表明,原位改性改善了沉淀二氧化硅的團聚現(xiàn)象,使之分散性提高,與有機基體聚丙烯樹脂的相容性增大,。疏水性測試表明,羥基硅油203-B和203-D的用量(羥基硅油與原料中二氧化硅的質(zhì)量比)達到17.9%時,疏水度分別達到24.59%和22.17%,羥基硅油相對分子質(zhì)量越小,羥基含量越高,改性效果越明顯,。原位改性使沉淀二氧化硅吸油率降低。

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