編號：CYYJ043432
篇名：鋁摻雜對硒化銦晶體結(jié)構(gòu)與性能的影響
作者：鄭權(quán) 劉學超 王浩 朱新峰 潘秀紅 陳錕 鄧偉杰 湯美波 徐浩 吳鴻輝 金敏
關(guān)鍵詞： InSe∶Al 布里奇曼法 力學性能 電學性能 第一性原理 晶體結(jié)構(gòu)
機構(gòu)： 上海大學微電子學院 中國科學院上海硅酸鹽研究所 中國科學院大學 上海電機學院材料學院
摘要： 硒化銦(InSe)是一種新型的窄禁帶(1.3 eV)層狀半導體,具有優(yōu)異的塑性和電學性能,在新型電子和光電子器件中具有廣泛應(yīng)用前景。采用布里奇曼(Bridgman)法生長了未摻雜和鋁摻雜的InSe晶體,通過能譜儀(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對制備材料的化學成分和表面形貌進行了表征。本文研究發(fā)現(xiàn),鋁摻雜可調(diào)節(jié)InSe晶體的塑性和光電性能,。X射線衍射(XRD)分析表明晶體具有六方結(jié)構(gòu),結(jié)合拉曼光譜表征證實晶體結(jié)構(gòu)為ε-InSe。納米壓痕測量表明,隨著鋁摻雜量的增加,InSe晶體的硬度和模量降低,材料的塑性提高,。霍爾效應(yīng)測量和光學吸收譜結(jié)果表明,鋁摻雜可提升載流子濃度和禁帶寬度,。
