編號(hào)：FTJS106858
篇名：鋁酸鹽體系中氧化時(shí)間對(duì)碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料微弧氧化膜層的影響
作者：杜春燕 孫煥明 黃樹濤 劉成煒
關(guān)鍵詞： 碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料 微弧氧化 時(shí)間 厚度 結(jié)合力 電絕緣性 耐蝕性
機(jī)構(gòu)： 沈陽(yáng)理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 沈陽(yáng)理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院
摘要： [目的]探究氧化時(shí)間對(duì)碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基(SiCp/Al)復(fù)合材料微弧氧化膜層的影響,。[方法]選用鋁酸鹽體系作為電解液,對(duì)SiCp/Al復(fù)合材料進(jìn)行微弧氧化處理,分析氧化時(shí)間對(duì)膜層組織結(jié)構(gòu),、物相、厚度,、粗糙度,、結(jié)合力,、電絕緣性及耐蝕性的影響。[結(jié)果]隨著氧化時(shí)間延長(zhǎng),膜層逐漸變得連續(xù)均勻,厚度增加,。若氧化時(shí)間過長(zhǎng),膜層會(huì)出現(xiàn)層疊現(xiàn)象,形成大尺寸微孔及裂紋,且生長(zhǎng)速率越來(lái)越低,。膜層結(jié)合力隨氧化時(shí)間延長(zhǎng)先增大后減小,在60 min時(shí)最大,達(dá)到39.85 N。氧化時(shí)間為10 min時(shí),膜層的電絕緣性及耐蝕性最優(yōu),100 V和500 V電壓下的絕緣電阻分別達(dá)到3.11×1012Ω和1.41×1012Ω,腐蝕電位為-0.6298 V,腐蝕電流密度為1.332×10-7A/cm2,。[結(jié)論]SiCp/Al復(fù)合材料表面微弧氧化膜層的連續(xù)性,、均勻性及生長(zhǎng)速率均與氧化時(shí)間有關(guān),。需選擇合適的氧化時(shí)間,才能制備出連續(xù)、均勻且綜合性能優(yōu)異的膜層,。
