編號：CYYJ043368
篇名：氧化石墨烯添加量對MoSe2復合rGO電極材料電化學性能的影響
作者：鄭棟浩 賀格平 彌元梅 皇甫慧君 張慧敏 李彥霞 袁蝴蝶
關鍵詞： 二硒化鉬 還原氧化石墨烯 超級電容器 電化學性能
機構(gòu)： 西安建筑科技大學材料科學與工程學院 陜西化工研究院有限公司
摘要： 開發(fā)高性能超級電容器電極材料在促進可再生能源的有效利用上起著重要作用,本工作采用簡單一步水熱法合成超級電容器用MoSe2-還原氧化石墨烯(rGO)復合電極材料(MoSe2-rGO),。研究表明,氧化石墨烯(GO)添加量影響著復合材料的電化學性能,隨著GO添加量增加,復合材料比電容呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,GO添加量為30 mg的復合材料MoSe2-rGO-30在1 A·g-1條件下具有最佳比電容(558.2 F·g-1),在功率密度為990 W·kg-1時能量密度高達84.4 Wh·kg-1,。反應動力學揭示出擴散電容主導MoSe2-rGO的電化學儲能過程。Randles-Sevcik方程計算的MoSe2-rGO-30離子擴散系數(shù)是純MoSe2離子擴散系數(shù)的6.2倍,。MoSe2與高導電性rGO的協(xié)同作用賦予MoSe2-rGO復合材料優(yōu)異的電化學性能,表明MoSe2-rGO復合材料具有作為高性能超級電容器電極材料的潛力。
