編號：FTJS106727
篇名：低對稱性二維過渡金屬硫族化合物的化學(xué)氣相沉積法制備
作者：陳蕓 張輝 羅政 毛衛(wèi)國 潘俊安 王珊珊
關(guān)鍵詞： 二維材料 低對稱性 化學(xué)氣相沉積 相調(diào)控 基底工程
機構(gòu)： 湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)空天科學(xué)學(xué)院新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料國防科技重點實驗室 長沙理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 1428/2000 低對稱二維材料是一種新型的納米材料,，具有很少的晶格對稱操作,，縱向上只有原子級厚度,。在二維過渡金屬二鹵化物(TMD)體系中，1T’-MoTe2,1T’-WTe2,1T’-ReS2和1T’-ReSe2是典型的低對稱構(gòu)件,。獨特的晶格對稱性使其具有豐富的各向異性物理和化學(xué)性質(zhì),，在微納光子學(xué)、觸覺傳感器,、各向異性邏輯器件等領(lǐng)域具有特殊的應(yīng)用前景,。低對稱二維 TMD 材料的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用開發(fā)依賴于這類材料的高質(zhì)量、大尺寸和穩(wěn)定制備,。因此，本文以這四種類型的材料為典型材料,，首先根據(jù)金屬前驅(qū)物對它們進行分類,，并回顧了近年來低對稱二維 TMD 材料的化學(xué)氣相沉積(CVD)制備方法。根據(jù)1T ′-MoTe2在制備過程中易發(fā)生相變和1T ′-ReS2,、1T ′-ReSe2與底物之間弱相互作用的特點,，介紹了1T ′-MoTe2制備過程中的相調(diào)控機理以及1T ′-ReS2和1T ′-ReSe2制備過程中的底物工程研究。最后,，本文展望了低對稱二維 TMD 材料的未來挑戰(zhàn)和機遇,。
