編號：CYYJ043321
篇名：二維金屬與CrCl3接觸的界面性質
作者：施永飛 胡艷梅 胡小會
關鍵詞： 二維材料 界面 肖特基勢壘 電學性質
機構： 中國船舶集團有限公司第八研究院 南京工業(yè)大學材料科學與工程學院
摘要： 為了調控金屬與CrCl3界面處的勢壘,提出二維金屬MX2(M=V,Nb;X=S,Se,Te)作為電極與CrCl3形成范德華接觸的方法.采用密度泛函理論研究CrCl3/MX2接觸界面的電學性質.結果表明:CrCl3/VS2,、CrCl3/VSe2和CrCl3/NbTe2形成n型肖特基接觸,其n型肖特基勢壘值分別為0.49、0.15和0.14 eV;CrCl3/NbS2和CrCl3/NbSe2形成p型肖特基接觸,其p型肖特基勢壘值分別為0.49和0.65 eV;CrCl3/VTe2形成歐姆接觸.CrCl3/MX2界面處可忽略的金屬誘導間隙態(tài)和較小的界面偶極表明,CrCl3/MX2中存在較弱的費米能級釘扎效應,從而使肖特基勢壘高度可以在較大范圍可調.因此,通過選擇不同功函數的二維金屬電極,在CrCl3/MX2接觸結構中能夠實現接觸類型和肖特基勢壘高度的調控.研究結果有助于理解不同二維金屬電極對CrCl3/MX2接觸的勢壘調控.
