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二維六方氮化硼的制備及其光電子器件研究進(jìn)展

編號(hào):FTJS106726

篇名:二維六方氮化硼的制備及其光電子器件研究進(jìn)展

作者:羅曼 周楊 成田恬 孟雨欣 王奕錦 鮮佳赤 秦嘉怡 余晨輝

關(guān)鍵詞: 二維材料 六方氮化硼 材料特性 制備方法 光電子器件

機(jī)構(gòu): 南通大學(xué)微電子學(xué)院(集成電路學(xué)院)

摘要: 六方氮化硼是一種具有寬帶隙和二維層狀結(jié)構(gòu)的代表性材料,擁有優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等獨(dú)特特性。其表面原子級(jí)平整,、無(wú)懸掛鍵和帶電雜質(zhì),被公認(rèn)為是作為其它低維材料襯底的理想選擇。另一方面,六方氮化硼對(duì)深紫外波段的強(qiáng)吸收和中紅外波段的雙曲特性,使其成為了制備高性能深紫外和中紅外探測(cè)器的重要材料,。本文首先介紹了六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)和材料特性,然后將材料制備方法分為“自上而下”和“自下而上”兩類,系統(tǒng)闡述了六方氮化硼的制備現(xiàn)狀,接著從襯底/介質(zhì)層/鈍化層,、隧穿層和吸收層三方面重點(diǎn)回顧了六方氮化硼在光電子器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展。最后,基于六方氮化硼的研究現(xiàn)狀,分析了其所面臨的一些挑戰(zhàn)和機(jī)遇,。

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