編號：CYYJ043312
篇名：亞微米銀焊膏的低溫?zé)o壓燒結(jié)性能研究
作者：李欣 汪智威
關(guān)鍵詞： 低溫?zé)o壓燒結(jié) 亞微米銀顆粒 銀片 芯片連接
機構(gòu)： 天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 燒結(jié)銀焊膏具備高導(dǎo)熱,、高導(dǎo)電,、低彈性模量和高可靠性等優(yōu)異性能,可以最大程度地發(fā)揮出SiC和GaN器件的潛能,因此具有廣闊的應(yīng)用前景.為了降低銀焊膏的制備成本,同時改善銀焊膏的燒結(jié)性能,使用球形和片狀兩種亞微米銀顆粒制備了3種燒結(jié)銀焊膏,通過分析銀焊膏在200~250℃低溫?zé)o壓燒結(jié)后的電阻率,、剪切強度和微觀形貌,研究了不同形貌亞微米銀顆粒及混合顆粒的低溫?zé)o壓燒結(jié)性能.研究表明:球形銀顆粒制備的銀焊膏在250℃燒結(jié)后,具有52.4 MPa的高剪切強度,同時其電阻率僅為6.28×10-8Ω·m;銀片制備的銀焊膏燒結(jié)后的剪切強度始終較低且電阻率始終較大,在250℃燒結(jié)后,剪切強度為21.5 MPa,電阻率為15.54×10-8Ω·m,這歸因于銀片的徑向尺寸較大、振實密度較低和銀片層層堆疊的燒結(jié)結(jié)構(gòu);混合顆粒的銀焊膏展現(xiàn)出了在更低溫度下燒結(jié)的潛力,在200℃燒結(jié)后,剪切強度為28.2 MPa,電阻率為7.77×10-8Ω·m,這得益于銀片可促進所選有機組分更早地去除和混合顆粒具有更高的初始堆積密度.本文研究成果有助于亞微米銀顆粒焊膏的成熟穩(wěn)定制備,也為低溫?zé)o壓燒結(jié)的高性能銀焊膏的研發(fā)提供了新的思路.
