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氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器交叉陣列的研究

編號(hào):CYYJ043166

篇名:氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器交叉陣列的研究

作者:胡全麗 羅涵瓊 蘇旺

關(guān)鍵詞: 氧化錳 氧化鉿 阻變存儲(chǔ)器 交叉陣列

機(jī)構(gòu): 內(nèi)蒙古民族大學(xué)納米創(chuàng)新研究院

摘要: 組建了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt阻變存儲(chǔ)器,研究了MnO和HfO2雙層結(jié)構(gòu)的電阻轉(zhuǎn)變特性。器件表現(xiàn)出高開(kāi)關(guān)比,、低操作電壓和無(wú)電初始化等穩(wěn)定的雙極性電阻轉(zhuǎn)變特性,。電阻轉(zhuǎn)變機(jī)制主要為歐姆傳導(dǎo)和肖特基發(fā)射機(jī)制。證明了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt器件有望成為一種有潛力的阻變存儲(chǔ)器候選體系,。

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