編號：FTJS106570
篇名：富集硼11三氟化硼制備工藝的研究進展
作者：秦濤 燕秀香 江曉娟
關鍵詞： 三氟化硼 富集硼11 制備
機構： 山東合益氣體股份有限公司
摘要： 富集硼11三氟化硼是半導體離子注入的重要摻雜源,與天然豐度三氟化硼相比,可顯著提高芯片的穩(wěn)定性和抗輻射干擾,被廣泛應用于通信,、國防,、航空航天等領域中,隨著國產(chǎn)替代化的進程,其制備工藝和生產(chǎn)路線呈現(xiàn)出相應的優(yōu)缺點,在實際生產(chǎn)中,企業(yè)可根據(jù)自身情況選擇合理的生產(chǎn)路線,得到富集硼11三氟化硼產(chǎn)品,。文章主要對富集硼11三氟化硼制備工藝的研究進展加以論述,以供參考,。
