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錫摻雜對(duì)氧化鋅納米柱陣列結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

編號(hào):CYYJ04300

篇名:錫摻雜對(duì)氧化鋅納米柱陣列結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

作者:湯小蘭 吳振英

關(guān)鍵詞: 錫摻雜氧化鋅 光電性能 溶膠凝膠法

機(jī)構(gòu): 蘇州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與通信工程系

摘要: 選擇不同的Sn濃度,以溶膠凝膠法在N型重?fù)诫s基板上制備了系列Zn1-xSnxO(x=0.01-0.07)納米柱樣品,并在不同溫度下(500℃,、600℃,、700℃)進(jìn)行了退火熱處理。利用光/暗電流測(cè)試對(duì)樣品的光電性能進(jìn)行了表征,發(fā)現(xiàn)當(dāng)偏壓為5V時(shí),在600℃退火1小時(shí)后,x=0.04的樣品表現(xiàn)出最佳的光/暗電流變化比(600%),。XRD與FE-SEM結(jié)果顯示該納米柱樣品具有最大的長(zhǎng)度以及較好的結(jié)晶度,意味著樣品具有較高的結(jié)晶質(zhì)量;PL測(cè)試發(fā)現(xiàn)x=0.04時(shí)樣品缺陷濃度最小,這說(shuō)明在該缺陷濃度下錫對(duì)鋅進(jìn)行替代時(shí)產(chǎn)生了更多的載流子,從而導(dǎo)致了最優(yōu)的光電性能,。

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