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碳化硅陶瓷超快激光雙光束精密拋光技術(shù)研究

編號:FTJS10593

篇名:碳化硅陶瓷超快激光雙光束精密拋光技術(shù)研究

作者:肖海兵 張慶茂 譚小軍 周泳全 張衛(wèi) 羅博偉

關(guān)鍵詞: 激光技術(shù) 激光拋光 超快光學(xué) 激光雙光束 碳化硅陶瓷 表面形貌

機構(gòu): 深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院智能制造與裝備學(xué)院 華南師范大學(xué)信息光電子科技學(xué)院,、廣東省微納光子功能材料與器件重點實驗室

摘要: 為了有效提高碳化硅陶瓷材料拋光精度,采用了一種紅外脈沖和超快紫外皮秒激光雙光束拋光碳化硅陶瓷技術(shù),。通過紅外納秒激光與超快紫外皮秒激光拋光碳化硅陶瓷材料激光雙光束拋光方法,實驗研究了激光功率,、重復(fù)頻率,、掃描速率,、離焦量等拋光工藝參數(shù)對拋光SiC表面質(zhì)量的影響。結(jié)果表明,在激光功率24 W,、掃描速率200 mm/s、激光重復(fù)頻率500 kHz,、離焦1 mm時,陶瓷表面粗糙度達(dá)到最優(yōu),激光雙光束拋光和單光束拋光原始粗糙度碳化硅2.87μm分別下降至0.42μm和0.53μm;激光雙光束拋光SiC陶瓷致密化,陶瓷表面呈現(xiàn)有規(guī)律的整齊排列,且碳化硅拋光表面的晶粒平均大小為1.48μm,表面力學(xué)性能得到改善。該研究為陶瓷等硬脆材料激光精密拋光提供了參考,。

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