編號：NMJS09097
篇名：B摻雜Co基氧化物/氫氧化物電極材料的制備及其贗電容性能
作者：張軻 張坤柔 韓宇珠 曹中秋 王艷
關(guān)鍵詞： B摻雜 化學(xué)鍍 電化學(xué)氧化 Co基電極材料 贗電容
機構(gòu)： 沈陽師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院
摘要： 采用先化學(xué)鍍再電化學(xué)氧化的工藝在薄銅片基體表面制備出了摻雜B和未摻雜B的2種Co基氧化物/氫氧化物電極材料,并對其進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)性能測試。研究結(jié)果表明,2種電極材料表面相均由Co3O4和Co(OH)3構(gòu)成,摻雜B的電極材料中B以氧化物的形式摻雜其中,摻雜量可達(dá)2.6wt%,。電化學(xué)性能測試表明,2種電極材料均具有良好的可逆性,B摻雜后其比電容較未摻雜時提高了至少2.5倍,經(jīng)歷10 000次充放電循環(huán)實驗后,摻雜B的電極材料的比電容保有率從98%提高到106%,說明B的摻雜有利于提高電極材料的比電容性能和電化學(xué)性能;阻抗譜實驗表明,B的摻雜降低了電極材料表面電化學(xué)反應(yīng)的電荷傳遞電阻,從而提高了其比電容,。
