編號：CYYJ04108
篇名：CMP拋光液中SiO2磨料分散穩(wěn)定性的研究進展
作者：程佳寶 石蕓慧 牛新環(huán) 劉江皓 鄒毅達 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰
關鍵詞： 化學機械拋光(CMP) SiO2磨料 表面活性劑 分散穩(wěn)定性 PH值
機構： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院 天津市電子材料與器件重點實驗室
摘要： 對SiO2磨料在化學機械拋光(CMP)拋光液中的應用以及影響拋光液分散穩(wěn)定性的因素進行了闡述,重點從SiO2磨料分散穩(wěn)定性的角度介紹了SiO2磨料質(zhì)量分數(shù)和粒徑、拋光液pH值,、表面活性劑種類和表面改性等對拋光液穩(wěn)定性的影響,通過分析Zeta電位絕對值的范圍,、凝膠時間的長短,、粒徑隨時間的變化和接觸角等,總結了小粒徑(35 nm左右)SiO2磨料在拋光液中的分散機理,同時探討了弱堿性環(huán)境對磨料Zeta電位的影響,陽離子、陰離子和非離子表面活性劑對磨料表面的作用機理和復配使用的效果,以及表面疏水化或親水化改性對磨料分散穩(wěn)定性的影響,。最后對該領域未來的發(fā)展方向進行了展望,。
