編號：NMJS09046
篇名：Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線的制備及其圓偏振光致電流效應(yīng)
作者：馮世尊 俞金玲
關(guān)鍵詞： Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線 拓撲絕緣體 化學(xué)氣相沉積 圓偏振光致電流效應(yīng)
機構(gòu)： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院
摘要： 采用化學(xué)氣相沉積法制備Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線,利用掃描電子顯微鏡和X射線能譜儀對其進行表征,并研究樣品的圓偏振光致電流效應(yīng)(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激發(fā),分別測試激光入射面垂直于納米線和平行于納米線時的CPGE電流.實驗結(jié)果表明,測得的CPGE電流主要來自納米線的拓撲表面態(tài).激光垂直入射納米線時的CPGE電流不為0,說明CPGE電流來源于納米線能帶的六角翹曲效應(yīng).本研究測得的Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線的CPGE電流比文獻報導(dǎo)的Bi2(Te0.23Se0.77)3納米線增大2倍以上,這是因為Te組分的增加不但使得費米能級更加靠近狄拉克點,還降低了納米線中載流子復(fù)合的概率,二者共同作用,使得CPGE電流增大,。
