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基于硅/二維層狀材料異質(zhì)結(jié)的紅外光電探測器研究進(jìn)展

編號:CYYJ03946

篇名:基于硅/二維層狀材料異質(zhì)結(jié)的紅外光電探測器研究進(jìn)展

作者:賀亦菲 楊德仁 皮孝東

關(guān)鍵詞: 硅 二維層狀材料 異質(zhì)結(jié) 紅外光電探測器

機(jī)構(gòu): 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院硅材料國家重點實驗室 浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心

摘要: 紅外光是一種頻率介于微波和可見光范圍之間的電磁波,在光通信、人工智能,、醫(yī)用治療、軍事探測和航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,。硅的帶隙為1.12 eV,導(dǎo)致硅基光電探測器的截止波長短(約1.1 mm)。近年來,研究發(fā)現(xiàn)了新型二維層狀材料,它們具有帶隙可調(diào),、載流子遷移率高,、光譜響應(yīng)寬、暗電流低,、穩(wěn)定性高以及制備工藝與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工藝兼容等諸多優(yōu)點,引起了研究人員的廣泛關(guān)注,。通過將硅與二維層狀材料結(jié)合,能夠有效地將硅基光電探測器的探測波段向波長超過1.1 mm的紅外光波段拓展。本文著重介紹了近年來可探測波長超過傳統(tǒng)硅光電探測器的基于硅/二維層狀材料異質(zhì)結(jié)的光電探測器在近紅外和中紅外光波段的研究進(jìn)展并展望了其發(fā)展前景,。

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