編號：FTJS10298
篇名：高質(zhì)量二維WTe2薄膜的可控制備及電輸運(yùn)性能研究
作者：趙新 盧志紅 張振華 肖楊 馮金地 甘凌霄
關(guān)鍵詞： 二維材料 WTe2薄膜 WCl6 前驅(qū)體 磁電阻率 平面霍爾電阻 電輸運(yùn)性能
機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)材料學(xué)部
摘要： 以WCl6為前驅(qū)體,采用化學(xué)氣相沉積法制備二維WTe2薄膜材料。借助X射線衍射儀,、拉曼光譜,、原子力顯微鏡、綜合物性測量系統(tǒng)等探究了前驅(qū)體用量對二維WTe2薄膜質(zhì)量的影響并對薄膜的電輸運(yùn)性能進(jìn)行表征,。結(jié)果表明,在500℃下,僅需10 min的生長時間就可以獲得大面積的WTe2薄膜,且薄膜厚度隨前驅(qū)體用量的減少而減薄,。WCl6前驅(qū)體為0.6 g時所制多層二維WTe2薄膜在溫度為10 K、磁場強(qiáng)度為50000 Oe下的磁電阻率為1.54%,該磁電阻率仍未達(dá)到飽和,。樣品平面霍爾電阻隨電場和磁場夾角變化而周期性變化,表明所制WTe2薄膜具有和塊體WTe2相似的電輸運(yùn)特性,。
