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二維6H-SiC光學特性的應變調(diào)控

編號:CYYJ03889

篇名:二維6H-SiC光學特性的應變調(diào)控

作者:薛麗麗 高靜 司志澤 王卓群 王衍營 張雨

關鍵詞: 6H-SIC 能帶結構 載流子遷移率 光學吸收系數(shù) 光催化特性

機構: 山東省產(chǎn)品質量檢驗研究院 青島科技大學化學與分子工程學院

摘要: 為了減小6H-SiC的帶隙,、提高對可見光的吸收效率和載流子遷移速率,采用第一性原理研究了應變對6H-SiC的能帶結構、光學吸收系數(shù),、載流子遷移率以及光催化特性的影響.結果表明:應變能夠降低6H-SiC的導帶底,但對價帶頂沒有影響,導致帶隙減小.隨著應變的增加,吸收曲線向低能級方向移動,即發(fā)生紅移,有利于可見光的吸收.施加應變后空穴的載流子遷移率提高,有利于載流子移動,且空穴的載流子遷移率是電子的2.5倍,有利于空穴和電子的分離.綜合應變對帶隙大小,、帶邊位置的影響可知,應變在±2%、±4%時對可見光的吸收以及光催化制氫最有效.綜上所述,應變能夠對6H-SiC的光學吸收和光催化特性有很好的調(diào)控作用,。

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