編號：CYYJ03884
篇名：金屬氧化物半導體一維材料H2S傳感器研究進展
作者：李茹茹 王凱怡 密士安 劉雅萍 陳澤 殷錫濤 馬曉光
關(guān)鍵詞： H2S氣體 一維結(jié)構(gòu)納米材料 金屬氧化物半導體 氣體傳感機制 傳感性能
機構(gòu)： 魯東大學物理與光電工程學院
摘要： 金屬氧化物半導體具有較好的氣敏性,基于金屬氧化物半導體H2S氣體傳感特性得到了廣泛研究.然而,隨著氣體檢測精細程度的增加,需要設計具有更優(yōu)性能的納米材料,來實現(xiàn)氣體傳感器檢測下限和靈敏度的提高.同其他維度納米材料相比,一維結(jié)構(gòu)納米材料由于具有良好的結(jié)晶度,、較大的比表面積和獨特的電子輸運特性,在H2S氣敏性能提升上有明顯優(yōu)勢.因此,本文主要以H2S氣體為主體,綜述了基于金屬氧化物半導體不同一維結(jié)構(gòu)納米材料的特點和一維結(jié)構(gòu)納米材料H2S氣體傳感器的研究進展.討論了金屬氧化物半導體基一維結(jié)構(gòu)納米材料對H2S氣體傳感的影響和氣敏機理.最后,對金屬氧化物半導體基一維結(jié)構(gòu)納米材料H2S氣體傳感器的性能改進和未來應用前景進行了展望,。
