編號：NMJS08980
篇名：沉積功率對濺射制備鎵鎂共摻雜氧化鋅薄膜光學和電學性能的影響
作者：鐘志有 萬鑫 顧錦華 龍浩 楊春勇 陳首部
關鍵詞： 氧化鋅 薄膜 摻雜 光電性能
機構(gòu)： 中南民族大學電子信息工程學院 中南民族大學智能無線通信湖北省重點實驗室 中南民族大學實驗教學與工程訓練中心
摘要： 采用控濺射工藝制備了鎵鎂摻雜氧化鋅(Zn O:Ga-Mg)透明導電薄膜,通過多種表征技術研究了沉積功率對薄膜結(jié)構(gòu)、形貌,、光學和電學性能的影響.實驗結(jié)果表明,所有薄膜均為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)并且具有c軸擇優(yōu)取向生長特點,并且沉積功率明顯影響薄膜的性能.沉積功率為150 W時所制備的Zn O:Ga-Mg薄膜具有最好的結(jié)晶質(zhì)量和光電性能,對應的平均可見光透過率為92.2%,、電阻率為1.18×10-3Ω·cm、品質(zhì)因數(shù)為1.04×104Ω-1·cm-1,、晶格應變?yōu)?.95×10-3,、位錯密度為1.17×1015m-2.另外,利用光學表征方法獲得了Zn O:Ga-Mg薄膜的光學常數(shù),同時根據(jù)單振子WDD模型研究了薄膜的光學色散性質(zhì),得到了薄膜的振子參數(shù)、非線性光學常數(shù)和光學能隙.研究結(jié)果表明沉積功率是影響Zn O:Ga-Mg薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的最重要的工藝參數(shù)之一,。
