編號(hào)：FTJS10238
篇名：板式PECVD氮化硅薄膜工藝研究
作者：鄒臻峰 謝湘洲 趙增超
關(guān)鍵詞： PECVD 氮化硅 薄膜
機(jī)構(gòu)： 湖南紅太陽(yáng)光電科技有限公司
摘要： 本文采用微波等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀技術(shù),在單晶硅襯體上高速沉積一層氮化硅薄膜,。通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn),系統(tǒng)研究了沉積壓強(qiáng),、氣體流量,、微波功率,、溫度等工藝參數(shù)對(duì)氮化硅薄膜沉積速率,、折射率的影響,分析其產(chǎn)生機(jī)理,。通過(guò)優(yōu)化氮化硅沉積的工藝參數(shù),采用分步沉積氮化硅工藝,測(cè)試對(duì)比兩者內(nèi)量子效應(yīng)和光譜反射率,得出分步沉積氮化硅工藝,在200~400 nm短波段,反射率更低,進(jìn)一步降低了氮化硅薄膜對(duì)光的反射率。同時(shí),在1000~1200 nm的長(zhǎng)波段,內(nèi)量子效應(yīng)增強(qiáng),表明提升氮化硅薄膜的鈍化效果,最終實(shí)現(xiàn)晶硅太陽(yáng)能電池效率提升0.1%,為優(yōu)化生產(chǎn)工藝奠定了良好基礎(chǔ),。
