編號(hào)：FTJS10230
篇名：氮化鎵基Micro-LED側(cè)壁對(duì)外量子效率的影響及側(cè)壁處理技術(shù)綜述
作者：鄺海 黃振 熊志華 劉麗
關(guān)鍵詞： 側(cè)壁缺陷 微發(fā)光二極管 外量子效率 載流子 側(cè)壁鈍化
機(jī)構(gòu)： 江西科技師范大學(xué)江西省光電子與通信重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 氮化鎵基Micro-LED具備高亮度,、高響應(yīng)頻率、低功耗等優(yōu)點(diǎn),是未來(lái)顯示技術(shù)和可見光通信系統(tǒng)的理想選擇,但是目前外量子效率(EQE)低下這一問題嚴(yán)重影響其規(guī)�,；慨a(chǎn)及進(jìn)一步應(yīng)用,。為了突破EQE低下這一瓶頸,通過分析Micro-LED外量子效率的影響因素,得知EQE下降的主要原因包括側(cè)壁缺陷引起的載流子損耗及非輻射復(fù)合�,？偨Y(jié)了側(cè)壁缺陷對(duì)載流子輸運(yùn)及復(fù)合的影響,。綜述了目前常用的側(cè)壁處理技術(shù)及修復(fù)方法,指出現(xiàn)有側(cè)壁處理方法較為籠統(tǒng)、針對(duì)性不足且載流子與側(cè)壁缺陷的作用機(jī)理并不十分清楚,。提出應(yīng)深入系統(tǒng)地研究側(cè)壁缺陷種類和分布,、載流子與側(cè)壁缺陷作用機(jī)制及側(cè)壁處理過程中的缺陷修復(fù)模式。本文為提高外量子效率,、加快Micro-LED商業(yè)化量產(chǎn)進(jìn)程提供設(shè)計(jì)思路和理論依據(jù),。
