編號：NMJS08940
篇名：CVD法無催化直接生長α-In2Se3納米材料
作者：苗瑞霞 楊奔 王業(yè)飛 李田甜
關鍵詞： 硒化銦 納米片 掃描電子顯微鏡 無催化反應 化學氣相沉積 表面形貌
機構： 西安郵電大學電子工程學院
摘要： 在常壓無催化條件下,采用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生長二維α-硒化銦(In2Se3)納米片材料。研究了生長溫度,、生長時間和氣體流量對In2Se3納米片的微觀形貌和尺寸的影響,采用掃描電子顯微鏡,、X射線衍射儀、拉曼光譜儀對In2Se3納米材料的分布,、形貌,、結構進行了表征和分析。實驗結果表明,CVD法直接生長的In2Se3納米片為規(guī)則的六邊形,分布較均勻,沿(006)晶面擇優(yōu)生長,具有2H-α相的晶體結構,。最佳工藝參數(shù)為硒粉區(qū)域溫度為430℃,氧化銦粉末區(qū)域溫度為800℃,生長時間為45 min,H 2流量為45 sccm,Ar流量為15 sccm,。
