編號(hào)：CYYJ03806
篇名：鎳摻雜對(duì)FTO薄膜光電性能的影響及機(jī)理分析
作者：吳寶棋 張琴 劉起英 史國(guó)華 趙洪力
關(guān)鍵詞： 鎳摻雜 FTO薄膜 氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積 電學(xué)性質(zhì) 第一性原理
機(jī)構(gòu)： 燕山大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院亞穩(wěn)材料制備技術(shù)與科學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 威海中玻新材料技術(shù)研發(fā)有限公司
摘要： 本文以單丁基三氯化錫(MBTC)為錫源,氟化銨(NH4F)為氟源,甲醇為溶劑,六水合氯化鎳(NiCl2·6H2O)為鎳源,采用氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積(AACVD)制備了鎳摻雜FTO薄膜,。利用分光光度計(jì),、四探針電阻儀及霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)鎳摻雜FTO薄膜的光學(xué)性能,、電學(xué)性能進(jìn)行表征和分析,并基于第一性原理對(duì)摻雜體系的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計(jì)算,。結(jié)果表明,Ni摻雜的FTO薄膜為四方金紅石結(jié)構(gòu),導(dǎo)電性能有所提高,。當(dāng)Ni/Sn為2%(原子數(shù)分?jǐn)?shù))時(shí),品質(zhì)因數(shù)ΦTC達(dá)到3×10-2Ω-1,電阻率ρ為3.79×10-4Ω·cm,可見(jiàn)光平均透過(guò)率約為80%,載流子濃度n為6.88×1020cm-3,遷移率μ為13.31 cm2·V-1·s-1,。
