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陷阱態(tài)對Ag-TiO2光誘導界面電荷轉(zhuǎn)移的影響:電化學,、光電化學和光譜表征

編號:CYYJ03778

篇名:陷阱態(tài)對Ag-TiO2光誘導界面電荷轉(zhuǎn)移的影響:電化學,、光電化學和光譜表征

作者:梁志豪 王家正 王丹 周劍章 吳德印

關(guān)鍵詞: 等離激元 Ag-TiO2 陷阱態(tài) 電荷轉(zhuǎn)移 光電化學表征

機構(gòu): 廈門大學化學化工學院

摘要: 在基于金屬-半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的等離激元介導化學反應中,了解其中的電荷轉(zhuǎn)移和復合機制進而調(diào)控界面、提高界面電荷分離,對于提高等離激元催化反應效率至關(guān)重要,。但電化學體系中固液界面上的等離激元光電催化反應是一個多過程,、多時間尺度、多影響因素的復雜體系,光生載流子在界面間傳遞機制的研究仍面臨著巨大的挑戰(zhàn),。由于光電化學信號的產(chǎn)生和變化包含了諸多體相和界面過程,因此光電化學方法是探究等離激元催化反應過程中的界面電荷轉(zhuǎn)移機制的有效手段之一,。本文合成了TiO2和Ag-TiO2納米粒子,以光電化學方法作為主要研究手段,并結(jié)合電化學和各種譜學表征手段,探究了電極陷阱態(tài)對界面電荷轉(zhuǎn)移機制的影響。結(jié)果表明,在Ag負載在TiO2表面后,電極的陷阱態(tài)顯著增加,。結(jié)合XPS以及PL光譜,陷阱態(tài)增加可主要歸咎于表面羥基,。陷阱態(tài)的增加導致了熒光的猝滅和光電響應的減弱,但增加的陷阱態(tài)復合過程也延長了載流子的壽命。陷阱態(tài)的調(diào)控必然會影響界面電荷轉(zhuǎn)移,從而改變熱載流子的數(shù)量和壽命,進而調(diào)控后續(xù)Ag界面上的等離激元反應,。在反應位點位于金屬的基于金屬-半導體復合體系的等離激元催化反應中,認識到半導體陷阱態(tài)對于界面電荷轉(zhuǎn)移的作用有助于在等離激元介導化學反應中更好地利用載流子,、提高反應效率。

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