編號：CYYJ03586
篇名：銻化銦晶片高溫加速貯存性能變化研究
作者：吳瑋 董晨 趙超 董濤 折偉林 黃婷 彭志強 李乾
關(guān)鍵詞： 銻化銦 紅外探測器 高溫加速貯存試驗 幾何參數(shù) 位錯缺陷
機構(gòu)： 華北光電技術(shù)研究所
摘要： 銻化銦晶片在存放以及使用過程中的性能穩(wěn)定性是影響制備的探測器性能的重要因素之一,。為了探究銻化銦晶片在長時間放置情況下的性能變化情況,對銻化銦晶片進行高溫加速貯存試驗,并在試驗過程中對晶片幾何參數(shù)、表面粗糙度,、電學(xué)參數(shù),、位錯缺陷等幾個重要性能參數(shù)進行跟蹤檢測。結(jié)果表明,在高溫加速試驗條件下,除晶片外形發(fā)生輕微變化以外,其他性能基本不發(fā)生變化,晶片能夠長期保存,。
