編號：NMJS00676
篇名：沉積溫度和碳納米管對CVD SiC涂層微觀形貌的影響
作者：張翔; 李軍; 廖寄喬; 譚周建;
關(guān)鍵詞：炭/炭復(fù)合材料; CNT-SiC復(fù)合涂層; 碳納米管; CVD;
機(jī)構(gòu)： 中南大學(xué)粉末冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)為前驅(qū)體,采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical vapor deposition,CVD),在原位生長有碳納米管(Carbon nanotubes,CNTs)的C/C復(fù)合材料表面制備SiC涂層,。用掃描電鏡(SEM)和X射線能譜儀(EDS)觀察和分析涂層微觀形貌及成份,。研究沉積溫度(1 000~1 150℃)對SiC涂層的表面、截面以及SiC顆粒的微觀形貌的影響,。結(jié)果表明:在1 000℃下反應(yīng)時,得到晶須狀SiC;沉積溫度為1 050℃時涂層平整,、致密;沉積溫度提高到1 100℃時,涂層粗糙,致密度下降;1 150℃下形成類似島狀組織,SiC顆粒團(tuán)聚長大,涂層粗糙,并有很多裂紋和孔洞,致密度低。對涂層成份和斷口形貌研究表明,基體和涂層之間有1個過渡區(qū),SiC涂層和基體之間結(jié)合良好,。
