編號：NMJS08746
篇名：六方氮化硼外延生長研究進展
作者：王高凱 張興旺
關鍵詞： 六方氮化硼 外延生長 薄膜 二維材料 寬禁帶半導體
機構： 中國科學院半導體研究所 中國科學院大學
摘要： 二維超寬禁帶半導體材料六方氮化硼(h-BN)具有絕緣性好,、擊穿場強高,、熱導率高,以及良好的穩(wěn)定性等特點,且其原子級平整表面極少有懸掛鍵和電荷陷阱的存在,使其有潛力成為二維電子器件的襯底和柵介質(zhì)材料。實現(xiàn)h-BN應用的關鍵在于生長高質(zhì)量的h-BN單晶薄膜,本文詳細介紹了在過渡金屬襯底,、絕緣介質(zhì)襯底和半導體材料表面外延生長h-BN的方法及其研究進展,。在具有催化活性的過渡金屬襯底(銅、鎳,、鐵,、鉑等)上可以外延得到高質(zhì)量的二維h-BN,而在絕緣介質(zhì)或半導體材料襯底上直接生長h-BN單晶薄膜更具挑戰(zhàn)性。藍寶石以其良好的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性成為外延h-BN的首選襯底,藍寶石襯底上生長h-BN薄膜的方法主要有化學氣相沉積,、分子束外延,、離子束濺射沉積、金屬有機氣相外延,以及高溫后退火等,通過這些方法可以在藍寶石襯底上外延得到h-BN單晶薄膜,還可以集成到現(xiàn)有的一些III-V族化合物半導體的外延生長工藝之中,為h-BN的大面積應用奠定基礎,。此外,石墨烯,、硅和鍺等半導體材料襯底上生長h-BN單晶薄膜也是當前研究的一個熱點,這為基于h-BN的異質(zhì)結制備及其應用提供了新的方向。
