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氮化硼納米片取向?qū)Νh(huán)氧復(fù)合材料導(dǎo)熱及絕緣性能的影響

編號:CYYJ03490

篇名:氮化硼納米片取向?qū)Νh(huán)氧復(fù)合材料導(dǎo)熱及絕緣性能的影響

作者:畢世杰 李喆 盛戈皞

關(guān)鍵詞: 環(huán)氧樹脂 氮化硼納米片 取向 熱導(dǎo)率 介電特性

機(jī)構(gòu): 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院

摘要: 在BN/環(huán)氧樹脂混合料的固化過程中施加不同直流電場制備了納米BN取向程度不同的環(huán)氧復(fù)合材料,研究不同電場強(qiáng)度對BN納米片取向程度的影響,同時探討B(tài)N納米片取向程度對環(huán)氧復(fù)合材料熱導(dǎo)率和電性能的影響,。結(jié)果表明:隨著直流電場強(qiáng)度的增大,BN納米片的取向與電場方向更相近,環(huán)氧復(fù)合材料的熱導(dǎo)率得到提升,介電常數(shù)和電導(dǎo)率增大。通過調(diào)控BN納米片的分布取向,實(shí)現(xiàn)了環(huán)氧復(fù)合材料導(dǎo)熱性能和絕緣性能的協(xié)同提升,。

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